真空共晶炉

　　 LED真空共晶炉紫外光灯珠封装设备UVC真空焊接炉系统 专为小批量生产和研发设计的系统、真空回流焊，也可称作真空/可控气氛共晶炉，它热容量大，PCB表面温差较小，已广泛应用于欧美航空、航天、军工电子等领域。它采用红外辐射加热原理，具有温度均匀一致、超低温安全焊接、无温差、无过热、工艺参数可靠稳定、无需复杂工艺试验、环保成本运行

　　真空焊接系统使用真空来达到无空洞焊点，能完全满足研发部门的需求，并适用于小批量生产，使用邦企创源科技共晶炉后，受空洞影响的焊接地区范围能减少到2%，而一般的回流焊的范围则在20%附近。

真空焊接炉图片

　　此机台无需助熔剂，无空焊点，使用不同气体【N2，*高达100%的H2，N2/H2 95%/5%】,是生产的理想设备，它也能使用于有HCOOH的活化的应用，及有RF等离子的干法活化的应用。使用后者时，焊点无空洞，异常干净。

　　可使用无铅的焊膏或焊片的工艺，也可使用无助焊剂工艺。本设备系统控制电脑有着友好的触摸屏界面，能直接操作设备，修改工艺路径及保存菜单

　　本系统能让使用者将数据移入PC，作线下变成及远程服务控制之

　　LED真空共晶炉特征及优势：

　　*高工艺温度可达450 °C

　　极好的温度均匀性

　　真空度*高可达到10-5 mbar

　　极短的工艺周期

　　实验室可以提供样品的焊接试验

　　远程控制和服务

 LED真空共晶炉图片

　　真空回流焊产品参数：

　　1,最大的工作温度：450°C;

　　2,设计最高温度：500°C;

　　3,最大加热速率：120°C /分;

　　4,最大冷却速率60°C /分(氮气冷却);

　　5,有效加热面积：(150 x 150) mm²;

　　6,推荐工作真空：15Pa;

　　7,观察窗口直径：80mm;

　　8,在有效面积内热均匀性：士5°C;

　　9,极限真空： 5Pa;

　　10,电气：380V 三相，7KW;

　　11,定值控温精度：士1°C;

　　12,真空泵：机械泵;

　　13,重量：150kg;

　　14,可放器件最大高度：60mm;

　　15,工艺气体：氮气(甲酸可选);

　　16,外形尺寸：580mm x 950mm x 1350mm(以订货时提供的尺寸为准);

　　LED真空共晶炉典型应用：

　　大功率半导体器件

　　光电封装

　　气密封装

　　晶片级封装

　　UHB LED 封装

　　了解MicroLED共晶焊接部分

　　锡膏焊接: 对于 Mini LED 可以采用焊接方式来进行制作, 一般可以用焊锡方式来进行焊接。

　　共晶: 共晶方式主要用在 Flip Chip 型 LED 上。当采用该方式在进行 Bonding 时, 其金属接触部分采用 Sn 或 Au-Sn 合金制作。当基板加热到合适的共晶温度时, Au 或 Ag 元素渗透到Sn 或 Au-Sn 合金当中如(Au 80 Sn 20 wt%层)。

　　随着合金成分比的改变, 其熔点也发生变化, 从而是的共晶层固化且把 LED 芯片固定在基板上。共晶温度由芯片底表金属材料的耐热程度而决定。在采用共晶方式进行 Bonding 时, 其技术的关键是共晶材料的选择和温度的控制。

　　根据共晶方式的不同, 其又可以继续分为助焊剂共晶和直接共晶。在采用这种焊接/共晶方式进行 Bonding 时, LED 需要制作金属的焊接层, 如 Cu/Ni/Au、Cu/Sn 和 Cu /Sn/Cu 等。

LED共晶示例

　　Adhesive Bonding (7) : 该方式比较常见的 Bonding 材料是 ACF。但是随着 Micro LED 尺寸的逐步减小, ACF Bonding 方式则逐步呈现出一定的局限性。因为 ACF 结构的限制, ACF Bonding无法有效应对小尺寸的 Micro LED Bonding 需求。

　　随着技术的进一步发展和新材料的开发, lep 技术也被逐渐开发起来。lep 是一种类似 ACF 的白色胶体, 主要用于 bonding 和减少光的损失。在 lep 内部内部亦有类似与 ACF 的导电粒子的存在。(***待求证: ACF for micro LED; LEP for mini LED***)

　　Micro Tube Bonding. (7) : 该 Bonding 方式由 Leti 提出。可以用于 10 μm 左右的器件 Bonding 使用。Micro Tube 作为 Bonding 的媒介, 可以同时提供电学和力学 Bonding 的只用。同时该结构既可以生长在 Micro LED 上, 又可以生长在 TFT 上以减少 TFT 端的制作难度 (30) 。