真空回流焊

真空气氛焊接炉

材料：锡膏焊接空洞率小于1%
交期：26-30个工作日
描述：真空气氛焊接炉正负压焊接工艺-焊接空洞率小于1%，真空焊接炉自主研发正负压焊接工艺客户实焊焊片(≤60*60mm)焊接空洞率小于1%真空焊接炉正负压结合焊接工艺客户实焊锡膏(≤80*120mm)焊接空洞率小于1%
规格：加热板面积:227*217mm/350*290mm

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产品详情

　　真空气氛焊接炉正负压焊接工艺-焊接空洞率小于1%，真空焊接炉自主研发正负压焊接工艺,客户实焊焊片(≤60*60mm)焊接空洞率小于1%真空焊接炉正负压结合焊接工艺,客户实焊锡膏(≤80*120mm)焊接空洞率小于1%

真空气氛焊接炉

　　真空共晶回流炉是利用真空加热的原理，辅助甲酸、正压等工艺手段为电子器件的良好合金焊接提供工艺环境的专用设备。广泛应用于大功率半导体激光器、光通信半导体激光器、激光雷达器件、TR组件、混合电路、分立器件、MEMS器件、IGBT、大功率LED、红外器件等高端器件的封装。可实现该类器件的高可靠性、高真空、低空洞的完美焊接。

　　真空气氛焊接炉产品特点：

　　1、软件系统:软件界面简单直观，数据和工艺曲线自由可控，软件支持离线查看和分析。

　　2、控温能力:采用德国Siemens工业控制系统+Siemens测温模块精准闭环控温，控温精度+0.5°C。

　　3、加热组件：采用日本原装进口红外石英灯辐射加热，灯管寿命可达10年以上。

　　4、控温方式：分区控温，自主知识产权PID自动调节AEG/INJET调功器精确控温，采用TC Wafer测试有效面积内温度均匀性±1～1.5%。

　　5、正压工艺：0.3MPa,压力控制精度±5%，有效去除微小空洞、控制焊料溢出，防止助焊剂飞溅，特别适用于半导体激光器Bar条焊接、大功率激光器芯片焊接、MEMS器件真空封装、电子器件金锡熔封、Micro-LED封装等先进封装应用。

真空回流焊

　　6、工艺气路：2路MFC质量流量计精确控制，氮气流量50slm，甲酸流量30slm。

　　7、降温方式：气冷/水冷降温，真空状态下可采用水冷降温，降温速率可控，可有效改善焊接后应力。

　　8、腔室门盖：具备腔室门开闭安全防护功能，自动无冲击开启与关闭。

　　9、MES功能：开放的OPC/UA协议，用户可以简单对接MES系统。

　　10、自动化集成：具备升级在线自动上下料功能，可实现机械手自动取放样品，扫码枪在线扫码，腔室门自动开启关闭并执行程序。

　　11、安全功能：超温保护功能、水流量及气体压力监控功能、甲酸管路压力控制、正压腔室门互锁功能。

真空焊接炉

　　真空共晶回流炉产品参数：

技术参数名称	ET-2221	ET-3529	ET-2221S	ET-3032	ET-4642
最高温度	450℃	450℃	450℃（更高可选）	450℃（更高可选）	450℃
控温精度	±0.5℃	±0.5℃	±0.5℃	±0.5℃	±0.5℃
加热板面积	(227*217)mm2	(350*290)mm2	(227*217)mm2	(330*320)mm2	(460*420)mm2
温度均匀性	±1.5%	±1.5%	±1%	±1%	≤±2%
真空度	≤5Pa	≤5Pa	≤5Pa	≤5Pa	≤5Pa
分子泵系统	N	N	≤5x10-3pa(更高可选）	≤5x10-3pa(更高可选）	N
真空腔室漏率	5x10-8 mbar*l/s	5x10-8 mbar*l/s	5x10-9 mbar*l/s	5x10-9 mbar*l/s	5x10-9 mbar*l/s
甲酸工艺模块	标配	标配	标配	标配	标配
正压功能	N	N	0.3MPa	0.3MPa	N
最大升温速率（底部加热空载）	200℃/min	200℃/min	200℃/min	200℃/min	200℃/min
最大降温速率（气冷空载）	100℃/min	100℃/min	100℃/min	100℃/min	100℃/min
可放器件最大高度	100mm	100mm	100mm（150mm）	100mm（150mm）	100mm
顶部加热	N	N	可选	可选	标配
水冷降温	N	N	N	可选	可选
腔室门开闭	半自动	半自动	自动	自动	自动
MES接口	可选	可选	标配	标配	标配
扫码枪	可选	可选	可选	可选	可选
助焊剂模块	N	可选	N	可选	可选

　　* 温度均匀性指标采用第三方工具TC WAFER测试和验证。温度采用美国OMEGA温控仪来测试和校准。

　 真空焊接炉产品应用案例

真空焊接炉案例